
银导电浆料
适用于包括氮化铝(AlN)在内的多种基板,具有优异的附着性能和可靠性。支持600°C至900°C烧结温度范围,满足多样化工艺需求。

适用于包括氮化铝(AlN)在内的多种基板,具有优异的附着性能和可靠性。支持600°C至900°C烧结温度范围,满足多样化工艺需求。

适用于包括氮化铝(AlN)在内的多种陶瓷基板,具有优异的附着性能和可靠性。支持600°C至900°C烧结温度范围,可满足多样化厚膜电路应用需求。

适用于氮化硅(Si₃N₄)等陶瓷基板的高强度接合,可形成超厚导电膜。兼具优异的接合可靠性与耐热性能,适用于高功率应用。

适用于300°C至400°C高温环境,可形成耐热保护层,有效防止电阻元件氧化劣化,提升产品长期可靠性。

适用于1Ω至10Ω阻值范围,具有优异的电阻稳定性和低TCR特性。非常适合电流检测及电源管理贴片电阻应用。

适用于3Ω至1000Ω阻值范围,在中高阻值区域仍能保持优异的精度和可靠性。低TCR特性使其非常适合高性能贴片电阻及传感器应用。

可作为导电浆料的烧结助剂,在低温加工条件下实现更低的电阻率和更优异的导热性能,为先进电子材料应用提供支持。

采用银纳米颗粒技术,可在低温条件下实现印刷及喷墨电路形成,同时具备优异的导电性能,助力印刷电子技术的产业化应用。

导电高分子钽固体电解电容器用热固化导电银浆,适用于电极形成及引线框架接合。兼具低ESR、低电阻和优异加工性能,有助于提升产品性能并降低成本。

适用于半导体芯片贴装的银烧结浆料,可实现低温烧结,同时兼具高导热性和优异的接合可靠性,为高功率、高可靠性封装提供解决方案。