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填孔解决方案

填孔基板

  • 填孔基板サムネイル1
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通过采用高导电性、低收缩填孔工艺,可将铜浆或银浆均匀填充至各种导通孔(Via)结构中。

该技术已广泛应用于通信领域的陶瓷封装产品,并凭借优异的可靠性和稳定的品质获得了广大客户的认可。

我们可提供填孔半成品基板,并提供涵盖钻孔、填孔及研磨抛光等工序的完整加工服务。

通过提供一站式工艺解决方案,可有效简化工艺管理流程,并确保产品质量的一致性。

产品详情

特点

  • 高可靠性、高性能填孔结构
    通过实现空隙和缺陷极少的均匀填孔,可与基板形成优异的结合性能。 该结构具有出色的电气可靠性和机械可靠性,适用于高密度布线及高散热性能要求的应用领域。

    平整的基板表面,提高贴装性能
    基板表面可加工至高平整度状态,因此可直接在填孔位置上方进行元器件贴装。 这不仅提升了电路设计自由度,还能够更加高效地利用基板空间。

    符合环保法规要求
    产品符合RoHS 2指令要求,在降低环境负荷的同时,可安心应用于各类电子产品。

规格

* 表中所示数值为基板两面的合计值。

陶瓷基板 陶瓷基板 陶瓷基板 玻璃基板 玻璃基板 有机基板
基板 基板材料  AlN, Al₂O₃, SiN Quartz glass, Alkali-free glass Glass epoxy
尺寸、厚度 2×2~4.5×4.5 inch, 0.2~1.0 mm 2×2~4.5×4.5 inch, 0.2~1.0 mm 2×2~4.5×4.5 inch, 0.2~1.0 mm 
导通孔 填充金属 Ag   Cu Ag-Cu alloy Ag Cu Ag
导通孔孔径 Φ0.05~1.0 mm Φ0.05~2.0 mm Φ0.05~1.0 mm Φ0.05~0.5 mm Φ0.05~0.5 mm Φ0.05~0.5 mm
烧结温度 ~900 ℃ ~900 ℃ ~900 ℃ 500~600 ℃ 400~800 ℃ 200~300 ℃
烧结气氛 Air N₂ N₂ Air N₂ Air
电阻率 3~4 µΩ・cm 5~7 µΩ・cm 10 µΩ・cm 2~4 µΩ・cm 3~6 µΩ・cm 5~8 µΩ・cm
长径比 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0
未抛光 填孔区域平整度 <±30 µm <±30 µm - <±20 µm <±20 µm <±20 µm
LAP研磨 推荐研磨余量* >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm
填孔区域平整度 <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm 
POL研磨 推荐研磨余量* >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm 
填孔区域平整度 <±2 µm  <±2 µm  <±2 µm  - -
导通孔截面
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导通孔表面
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* 表中所示数值为基板两面的合计值。

应用示例

  • 功率器件用高可靠性、高散热封装基板及模块基板

产品介绍视频

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