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高温烧成类型导电膏

晶片电阻用CuNi电阻膏

  • 晶片电阻用CuNi电阻膏サムネイル1
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我们晶片电阻用CuNi电阻膏可用于烧制用于电流检测的低电阻芯片电阻器,这类电阻器是汽车零部件之一。即使在氮气环境中烧制,这种导电膏也不会引起电阻值的不稳定。
我们能够根据您的需求研发导电膏,比如对电阻值和电阻温度系数(TCR)进行调整。此外,我们还提供在基板上印刷导电膏的服务。

产品详情

特点

    • 对于铜基材料而言,氧化问题一直备受关注,而该材料具备极高的抗氧化可靠性。
    • 它同样适用于应对硫化以及离子迁移等问题的相关措施。
    • 电阻范围为 10mΩ 至 3.0Ω,非常适合于电流检测和电源管理芯片电阻器。
    • 这是一种贱金属材料,是银钯电阻器的理想替代品,因为银钯电阻器价格昂贵,且价格波动风险较高。
    • 该材料的电阻温度系数(TCR)较低,为 ±50ppm/K,且控制性能良好,同时也能满足芯片电阻器 ±100ppm 的质量要求。
    • 它不含铅(Pb)等对环境有害的物质。

结构

在 Al₂O₃ 基板上的使用示例

  • (1) Al₂O₃ 基板
    (2) 铜电极
    (3) 用于芯片电阻器的 CuNi 电阻膏
    (4) 覆盖玻璃

应用示例

    • 用于电流检测的芯片电阻器
    • 用于电源管理的芯片电阻器
    • 陶瓷加热器
    • 含有电阻元件的陶瓷电路板

规格

CuNi resistive pastes for resistors

系列 类型

片阻
(mΩ/□ @20μmt)

电阻温度系数
(ppm/°C)
粘度
(Pa・s)
烧制厚度*²
(μm)
覆盖率(cm²/g) 推荐的烧制条件
HTCR CTCR
DH CNR01DH 10 +500±50 +500±50 30~50 18~20 55 900 °C 10 分钟,在氮气中
CNR03DH 30 -100±50 -80±50 30~50 18~20 55 900 °C 10 分钟,在氮气中
D CNR10D 100 -90±50 -70±50 30~50 20~25 68 900 °C 10 分钟,在氮气中
CNR50D 500 -60±50 -30±50 30~50 20~25 76 900 °C 10 分钟,在氮气中
CN1R5D 1,500 -40±50 -10±50 30~50 20~25 80 900 °C 10 分钟,在氮气中
CN3R0D 4,000 -10±50 +30±50 30~50 20~25 82 900 °C 10 分钟,在氮气中

基板: Al₂O₃, 电极: Cu, 涂覆方法:丝网印刷,存储条件:冷藏
HTCR:25℃~155℃, CTCR:-55℃~25℃
*² 当使用规格为目数 #250、网线直径 φ30μm 的标准丝网版时, 经压光处理,感光乳剂厚度为 30μm。
通过将 DH 系列和 D 系列导电膏进行混合调配,即可对电阻值进行调节。

Copper paste for electrodes

类型 电阻率(μΩ・cm) 粘度(Pa・s) 烧结厚度*³(μm) 覆盖面积(cm²/g) 推荐的烧结条件
DC019(表面) ≦ 4 75±25 Ca. 13 85 900 °C 100分钟, 在 N₂中
DC019U(背面) ≦ 4 75±25 Ca. 7 150 900 °C 100分钟, 在 N₂中

基材: Al₂O₃, 涂覆方法:丝网印刷,存储条件:冷藏
*³ 使用标准丝网版
(DC019) 网线直径:#250-φ30μm,乳胶厚度:10μm
(DC019U) 网孔直径:#400-φ19μm,乳胶厚度:10μm

Glass paste for overcoat

类型 颜色 粘度 (Pa・s) 烧结厚度*⁴(μm) 覆盖率(cm²/g) 绝缘性(Ω) 耐酸性*⁵ 推荐的烧结条件
OCG12 灰白色透明 60±30 Ca. 13 250 8.0×1011 <3.0 850-900 °C 10分钟, 在 N₂中

基板: Al₂O₃, 涂覆方法:丝网印刷,储存条件:冷藏
*⁴ 使用标准丝网版时,网线直径:#400-φ19μm,乳胶厚度:30μm
*⁵ 评估方法:在 0.5 重量百分比的硫酸中浸泡 1 小时后的失重百分比

注意事项

请查阅每个产品的材料安全数据表(SDS)。

备注

  • 如果您没有备用的氮气炉,我们可以代您进行烧制。
  • 这些结果是基于我们使用本公司的铜膏作为电极材料以及本公司的玻璃膏作为保护膜材料的情况得出的。

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