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高温烧成类型导电膏

电阻膏

  • 电阻膏サムネイル1
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在电阻元件和贴片式芯片电阻器(SMD)领域,对于防止银(Ag)电极硫化以及增强抗迁移性能的相关措施,市场需求日益增长。铜基导体可用于实现这一目标。
我们所生产的铜 / 镍基贱金属厚膜电阻浆料,即便在氮气环境中烧制,也能保持稳定性能。此外,我们还能够制备出适用于超低电阻范围的导电膏产品。

产品详情

特点

  • 它可以在氮气环境中进行烧制。也能够与带有铜电极和线路的基板配合使用。
  • 相较于银(Ag)/ 钯(Pd)合金以及基于氧化钌的电阻材料,它的成本更低。
  • 它不含铅(Pb)等对环境有害的物质。
  • 低电阻的铜(Cu)/ 镍(Ni)膏具有较低的电阻温度系数(TCR),能够满足芯片电阻器 ±100ppm 的质量要求。

应用示例

    • 用于电流检测的芯片电阻器
    • 用于电源管理的芯片电阻器
    • 陶瓷加热器
    • 带有电阻元件的陶瓷电路基板

规格

CuNi resistive pastes

系列 类型

片阻
(mΩ/□ @20μmt)

电阻温度系数
(ppm/°C)
粘度
(Pa・s)
烧制厚度*²(μm) 覆盖率
(cm²/g)
推荐的烧制条件
HTCR CTCR
DH CNR01DH 10 +500±50 +500±50 30~50 18~20 55 900 °C 10分钟,在氮气中
CNR03DH 30 -100±50 -80±50 30~50 18~20 55 900 °C 10分钟,在氮气中
D CNR10D 100 -90±50 -70±50 30~50 20~25 68 900 °C 10分钟,在氮气中
CNR50D 500 -60±50 -30±50 30~50 20~25 76 900 °C 10分钟,在氮气中
CN1R5D 1,500 -40±50 -10±50 30~50 20~25 80 900 °C 10分钟,在氮气中
CN3R0D 4,000 -10±50 +30±50 30~50 20~25 82 900 °C 10分钟,在氮气中

基板: Al₂O₃, 电极: Cu, 涂覆方法:丝网印刷,储存条件:冷藏
HTCR:25℃~155℃, CTCR:-55℃~25℃
*² 当使用规格为目数 #250、网线直径 φ30μm 的标准丝网板时, 经压光处理,感光乳剂厚度为 30μm。
通过将 DH 系列和 D 系列导电膏进行混合调配,即可对电阻值进行调节。

LaB6 resistive pastes

系列 类型 片阻
(mΩ/□ @20μmt)
电阻温度系数
(ppm/°C)
粘度
(Pa・s)
烧制厚度*²(μm) 覆盖率(cm²/g) 电极 推荐的烧制条件 基材
A LB3A 3 +330 50-100 18-20 96 Cu 850 °C 10 分钟,在氮气中 Al₂O₃
LB10A 10 +170 50-100 18-20 102 Cu 850 °C 10 分钟,在氮气中 Al₂O₃
LB100A 100 +40 50-100 18-20 109 Cu 850 °C 10 分钟,在氮气中 Al₂O₃
LB1kA 1,000 -10 50-100 18-20 114 Cu 850 °C 10 分钟,在氮气中 Al₂O₃
N LB20N 20 +200 50-100 22-25 105 Ag 820 °C 10 分钟,在氮气中 AlN
LB100N 100 +70 50-100 22-25 108 Ag 820 °C 10 分钟,在氮气中 AlN
LB1kN₂ 1,000 +10 50-100 22-25 113 Ag 820 °C 10 分钟,在氮气中 AlN

涂覆方法:丝网印刷,存储条件:冷藏
当使用规格为目数 #250、网线直径 φ30μm 的标准丝网印刷版时,感光乳剂厚度为 10μm。

注意事项

请查阅每种产品的材料安全数据表(SDS)。

备注

  • 如果您没有备用的氮气炉,我们可以代您进行烧制。
  • 我们也承接开发和生产过程中的烧制订单。请随时与我们联系。
  • 这些实验结果是基于我们将铜膏用作电极材料、玻璃膏用作保护膜材料的情况下得出的。
  • 电阻元件、铜膏和玻璃膏之间存在化学亲和性,因此我们推荐使用我们的产品。

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